长江存储武汉工厂里，一条完全采用国产设备的试验生产线正在调试，而万里之外的三星电子工程师们，正为明年启动的400层V-NAND量产线做最后准备。
2025年下半年，长江存储首条全国产化设备产线将开始试产-3。而三星计划在2026年3月启动第十代4xx层V-NAND量产线建设，堆叠层数将暴涨到400层以上-2。
全球3D NAND产能竞赛已经进入白热化阶段，各家厂商都在加紧布局，3D NAND产能的未来分布，正悄然重塑全球半导体产业的权力版图。
全球3D NAND市场正迎来新一轮洗牌。传统巨头与新兴力量之间的较量，已经超越了单纯的技术竞争，成为国家科技实力和产业自主权的象征。
三星电子正在加速推进其下一代3D NAND量产计划。据韩媒报道，这家韩国巨头计划在2026年3月开始安装设备，建设第十代V-NAND量产线-2。他们的目标是生产至少400层单元垂直堆叠的V-NAND，这种芯片被称为BV NAND，专门为AI数据中心设计-8。
三星采用了一种新颖的键合技术，在不同晶圆上分别创建存储单元和外围电路，然后将它们键合在一起-8。
这种技术路线上的突破，使得三星能够在3D NAND产能竞赛中继续保持领先地位。据他们的技术路线图显示，三星计划到2030年开发超过1000层的NAND芯片-8。
与此同时，日本铠侠也在加紧布局。他们计划到2029财年将产能较2024财年提高一倍-6。为此，铠侠正在扩大四日市工厂和北上工厂的生产线-6。
2026年，铠侠将开始生产第10代NAND Flash，堆叠数从当前的218层跃升至332层-4。
在全球3D NAND产能竞争中，长江存储的表现格外引人注目。尽管面临外部技术限制，这家中国存储制造商却走出了一条独特的自主创新之路。
自2022年底被列入实体清单后，长江存储无法获得美系先进晶圆制造设备-1。但他们没有停下脚步，反而加速推进国产化替代。2025年下半年，长江存储首条全流程采用国产设备的NAND闪存生产线将进入试运行阶段-10。
这条试验生产线是他们规避美国制裁的关键举措-1。长江存储正在大规模导入自研技术与国产设备，支撑其位成长率目标远高于整体市场的10%~15%-1。
目前，长江存储设备国产化率已达45%，领先中国平均水平-3。他们的供应商包括中微公司、北方华创等国内一线设备企业-3。
长江存储计划2024年底将月产能提升至13万片，2025年增至15万片，对应全球NAND Flash供应约8%-1。而他们的长期目标是在2026年前达成全球NAND Flash市场份额15%-1。
3D NAND的技术演进正朝着更高堆叠层数、更高存储密度的方向发展。这种技术进步不仅提升了芯片性能，也直接影响着产能和成本结构。
长江存储自主研发的Xtacking架构通过垂直分离存储单元与外围电路，取得了显著突破-9。他们的第五代3D TLC NAND采用294层堆叠架构，位密度显著提升，接口速度达3600 MT/s-1。
值得关注的是，长江存储的Xtacking架构将等效存储密度提升至294层，位密度达15.03 Gb/mm²-9。
这一数据不仅超越了三星、SK海力士14.5-14.75 Gb/mm²的行业上限，更成为全球首个突破15 Gb/mm²密度的厂商-9。
在堆叠层数方面，各大厂商都在不断突破极限。三星计划最早在2026年生产至少400层单元垂直堆叠的垂直NAND-8。而SK海力士也已开始研发400层NAND Flash，目标是2026年上半年实现全面量产-8。
铠侠曾在其技术路线图中预测，3D NAND层数以每年1.33倍的增长率，到2027年可能达到1000层的水平，NAND芯片密度将达到100 Gbit/mm²-8。
全球3D NAND产能扩张和技术进步正在深刻改变市场格局。随着新产能的释放和新技术的应用，存储芯片市场的竞争态势和价格走势都将发生显著变化。
由于长江存储产量的快速增长，NAND闪存市场上已经出现供过于求的情况-5。而三星电子、SK海力士、铠侠和美光等大公司因NAND闪存价格下跌而继续减产-5。
市场研究公司TrendForce集邦咨询已将NAND闪存需求的年度增长预测从30%下调至10-15%-5。
AI的快速发展为高密度NAND带来了新的市场需求。随着AI普及，NAND Flash中长期需求看增-4。AI大模型训练需求催生新型存储架构，2025年全球AI服务器存储芯片市场规模预计达420亿美元-7。
面对这一趋势，各大存储原厂都在调整产品结构。三星、SK海力士、铠侠及美光等公司纷纷推动200层以上NAND在市场中的应用-8。
长江存储也计划在2025年推出3D QLC X4-6080，并在2026年量產2TB級3D TLC與QLC產品，接口速度最高達4，800 MT/s-3。
尽管全球3D NAND产能扩张步伐加快，但各厂商仍面临诸多挑战。从技术瓶颈到市场波动，从地缘政治到供应链安全，存储芯片产业的发展道路并不平坦。
对于长江存储来说，全国产设备试验生产线仍处于初期阶段-1。能否顺利放量、规模量产尚未明朗，特别在良率、制造成本与技术可靠性三方面仍有挑战-1。
尽管长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者相当，但由于在极紫外光刻等关键领域中国仍存在差距，持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力-1。
全球存储产业也面临结构性调整。2025年，中国本土产能占比已升至38%-7。技术迭代与地缘政治双重因素推动产业链重构，晶圆厂建设周期缩短至18个月，设备国产化率提升至65%-7。
价格周期也呈现出新特征，NAND价格波动幅度收窄至±15%-7。随着产能扩张和技术进步，存储芯片市场的竞争将更加激烈，企业需要更加精准地把握市场需求和技术方向。
网友“数码爱好者小明”提问： 最近想买固态硬盘，看到国产的致态和三星、铠侠价格差不多，到底该选哪个？国产存储真的已经追上来了吗？
这位朋友的问题很实在啊！咱们老百姓买东西，最关心的就是性价比和质量。从技术层面看，长江存储的致态系列采用的Xtacking架构确实有独到之处，他们的294层堆叠技术位密度已经达到了15.03 Gb/mm²，这比三星、SK海力士的14.5-14.75 Gb/mm²还要高一点-9。
也就是说，在同样面积内，国产芯片能存储更多数据。
市场表现也很能说明问题。2025年京东双11期间，致态品牌的销量甚至反超了三星-9。这说明消费者用钱包投了票。我自己也用过致态的1TB SSD，速度稳定在3500MB/s左右，和同价位国际品牌相差无几。
不过要客观说，国产存储在企业级市场和消费级市场都在快速渗透。企业级SSD已批量应用于阿里云、腾讯云等主流云服务商-9。
当然，三星在高端市场特别是面向AI数据中心的超高容量SSD方面仍有优势，他们计划2026年推出400层NAND专门用于AI服务器-8。但就普通消费者日常使用而言，国产存储已经完全够用，甚至在某些指标上还有优势。
网友“投资观察者老周”提问： 存储芯片行业这波产能扩张会不会导致价格战？现在投资相关领域合适吗？
老周这个问题问到点子上了！从行业数据看，由于长江存储等中国厂商产能快速增长，NAND闪存市场已经出现供过于求的情况-5。三星、SK海力士等大公司因价格下跌而继续减产-5。
但事情没那么简单，AI的爆发为存储行业带来了新变数。AI大模型训练需要大量高速存储，2025年全球AI服务器存储芯片市场规模预计达420亿美元-7。
所以现在行业出现了一个有趣的现象：一边是传统消费电子存储需求增长放缓，另一边是AI服务器存储需求快速增长。
从投资角度看，要区分不同细分领域。面向数据中心的高密度、高速NAND芯片需求旺盛，三星计划2026年生产的400层BV NAND就是针对这一市场-8。而传统消费级存储市场竞争会更加激烈。
中国存储企业的成长性值得关注。长江存储计划到2026年底挑战全球NAND Flash产量的15%-1。长鑫存储的DRAM年产量已达273万片，跻身全球第四大DRAM厂商-9。
网友“科技宅小刘”提问： 听说3D NAND要堆到1000层了，这会不会是物理极限？继续堆叠下去还有意义吗？
小刘这个问题很技术，但也很有意思！目前三星计划最早在2026年生产400层NAND-8，铠侠更是预测到2027年3D NAND可能达到1000层-8。这听起来确实有点疯狂，但技术上并非不可能。
堆叠层数增加的直接好处是存储密度提升。就像盖高楼一样，同样占地面积，层数越多住的人越多。铠侠的第10代NAND从218层增加到332层，每单位面积的存储容量就能提升59%-4。
但堆叠不是简单的叠罗汉，技术挑战很大。层数越多，制造过程中刻蚀的深宽比就越大，对工艺要求越高。三星为了解决这个问题，采用了新型键合技术，在不同晶圆上分别创建单元和外围设备，然后进行键合-8。
这种方法能改善散热性能，特别适合AI数据中心的高容量SSD-8。
那么有没有物理极限呢？理论上肯定有，但现阶段还远未达到。除了继续增加层数，行业也在探索其他提高存储密度的方法，比如QLC、PLC技术（每个存储单元存储更多位数），2025年QLC占比已突破50%-7。
还有光学寻址、晶圆级封装等创新方向-7。所以未来存储技术的进步不会是单一路线，而是多层堆叠、多位数存储、新架构设计等多条路线并行发展。
