三星、铠侠、SK海力士三大巨头相继发布新产品，层数突破300大关，存储革命正在加速。
“我这硬盘又满了！”
这是很多从事视频剪辑、游戏开发或数据研究的朋友常常抱怨的一句话。随着4K、8K视频的普及，AI模型的扩大，数据量呈指数级增长，传统存储设备早已捉襟见肘。
好消息是，存储行业正迎来一场真正的革命——2025年至2026年间，全球各大存储巨头纷纷宣布3D NAND上市计划，一场关于容量、速度和价格的变革正在进行中。
当人们还在惊叹200层NAND技术时，SK海力士在2025年8月扔下了一颗重磅炸弹——他们宣布开始量产全球首款超过300层的QLC 2Tb芯片，采用321层3D NAND技术-。这款产品预计在2026年上半年正式出货，专为AI服务器和超大容量SSD设计。
这项技术的突破不仅仅是层数的增加。新产品采用6平面设计，相比目前主流的4平面设计，可以提供更多独立运行的闪存单元并行工作-。数据传输速度提升了一倍，写入速度提高了56%，读取性能提升了18%，更重要的是，写入功耗效率改善了23%以上-1。
这不禁让人想起那句老话：“山外有山，楼外有楼”。当其他厂商还在218层技术徘徊时，SK海力士直接突破300层大关，为3D NAND上市树立了新的标杆。
就在SK海力士发布321层技术的几个月前，日本存储巨头铠侠（Kioxia）在2025年7月宣布，其第9代BiCS FLASH 3D闪存已开始样品出货-。
这款产品采用120层堆叠工艺，虽然层数不如SK海力士那么高，但性能提升同样惊人——写入性能提升61%，读取性能提升12%，写入功耗提升36%，读取功耗提升27%-2。
但这只是铠侠的第一步棋。2025年12月，铠侠又透露了更宏伟的计划：他们将于2026年启动下一代BiCS10 3D NAND闪存的量产，采用332层堆叠技术-。
这项技术的位密度将比现有的BiCS8提升59%，支持4.8Gbps的I/O接口速率-3，专为大容量企业级固态硬盘量身定制。
铠侠这种“小步快跑，大步跃进”的策略，展现了他们在3D NAND上市竞赛中的独特智慧——既有短期内可量产的解决方案，又有面向未来的技术储备。
作为全球存储市场的领导者，三星自然不会在这场竞赛中缺席。2025年7月，三星电子宣布计划于2026年3月启动其第十代V-NAND（V10）的首条量产线建设，并有望在当年10月进入全面量产阶段-9。
V10的堆叠层数将大幅提升至400层以上，预计达到430层左右，这将是全球最高堆叠的闪存产品-9。
最令人惊叹的是其技术参数：TLC版本可实现28Gb/mm²的存储密度，较上一代产品提升56%；I/O引脚速率达到5.6Gbps，提升75%-9。这些数据意味着什么？简单来说，未来的固态硬盘可能会在体积不变的情况下，容量翻倍，速度飙升。
3D NAND技术的快速进步，背后是整个存储行业的深刻变革。随着人工智能、5G、物联网等技术的快速发展，全球对高性能、大容量存储的需求持续增长-9。
这场技术竞赛不仅仅是层数的比拼。各大厂商在技术路径上也各有特色：SK海力士采用321层QLC技术，专注于超大容量；铠侠从120层逐步向332层迈进，兼顾性能与密度；三星则一步到位瞄准400层以上，追求极致性能-1-2-9。
这种多元化的技术路线，最终受益的将是广大消费者。预计到2026年下半年，市场上将出现更多大容量、高性能、价格合理的固态硬盘产品。
面对这场3D NAND上市浪潮，普通用户最关心的可能是：“我什么时候该升级我的存储设备？”答案取决于你的需求。
如果你是一名内容创作者，经常处理大型视频文件或3D模型，那么2026年下半年将是升级的好时机。届时，基于300层以上3D NAND技术的SSD将大量上市，容量可能达到8TB甚至16TB，价格也会更加合理。
对于游戏玩家来说，更快的加载速度、更大的游戏存储空间将成为现实。想象一下，一个200GB的大型游戏，加载时间可能从现在的几十秒缩短到几秒钟。
即使是普通办公用户，也能从这场技术革命中受益。更大的容量意味着可以存储更多文件、照片和视频，而不必频繁清理硬盘空间。
网友“数据猎人”提问：
看到这么多3D NAND上市的消息，我很想升级我的电脑存储，但不知道应该选择哪家厂商的产品？能不能给些建议？
回答：
“数据猎人”你好，这个问题问得很实际！面对众多选择，确实容易眼花缭乱。我的建议是根据你的具体需求来决定。
如果你追求极致的容量和性价比，可以关注SK海力士321层QLC技术相关的产品。QLC虽然写入寿命相对较短，但容量大、价格相对较低，非常适合作为数据仓库盘使用。
如果你更看重综合性能和可靠性，铠侠的产品可能更适合你。他们从120层到332层的渐进式技术路线，确保了产品的成熟度和稳定性。特别是他们的第9代产品，已经在2025年开始样品出货，预计2026年初就能看到相关消费级产品。
至于三星，如果你是技术发烧友，不介意等待并愿意为领先技术支付溢价，那么可以关注他们2026年下半年的V10系列产品。400层以上的堆叠技术，将带来前所未有的性能体验。
网友“存储小白”提问：
经常听到3D NAND这个词，但不太明白它和普通NAND有什么区别？层数越多就越好吗？
回答：
“存储小白”你好，这个问题问到了点子上！简单来说，3D NAND就像是把存储单元从“平房”改建成了“高楼大厦”。
传统2D NAND是平面结构，就像在一塊土地上建平房，想要增加容量只能扩大土地面积。而3D NAND则是向上发展，通过堆叠多层存储单元来增加容量，就像建高楼一样。
层数越多，通常意味着在同样面积上能存储更多数据，也就是容量更大。但层数不是唯一的标准，还需要考虑制程工艺、接口速度、功耗控制等多方面因素。
例如，铠侠的第9代产品虽然只有120层，但通过优化工艺和接口，实现了显著的性能提升-2。所以，层数是一个重要指标，但不是唯一指标。选择存储产品时，应该综合考虑容量、速度、耐久度和价格等因素。
网友“未来展望”提问：
3D NAND技术还会继续发展吗？下一步会朝着什么方向进化？
回答：
“未来展望”你好，你对技术发展趋势的关注很值得赞赏！3D NAND技术确实还有很大的发展空间。
从技术层面看，堆叠层数将继续增加。三星已经规划了400层以上的产品-9，未来500层、600层甚至1000层都有可能实现。但同时，单纯增加层数也会面临物理极限和制造成本的挑战。
下一步的发展方向可能是多维度的：一是继续提升层数，但会更加注重工艺优化和成本控制；二是开发新的存储单元技术，如PLC（5bit/cell）等，进一步提升存储密度；三是优化接口协议，提高数据传输速度；四是增强产品的耐用性和可靠性。
特别值得关注的是，随着AI和云计算的发展，存储芯片可能会更加专业化，出现针对特定应用场景优化的3D NAND产品。未来的存储市场，将不再是“一刀切”的模式，而是更加细分、更加专业化的格局。
