每秒都在生成海量数据的AI时代，一款新款AI手机所捕获的瞬时数据量，足以让十年前的数据中心处理一整天。
自从用上了“AI剪辑师”，老张的电脑就没消停过。生成一段1080P的视频，进度条还没走完，硬盘指示灯就闪得跟心跳加速似的。他刚买的2TB固态硬盘（SSD），没一个月就亮起了存储空间不足的红灯。
“现在的数据，咋跟不要钱似的？”老张一边嘟囔，一边上网“大容量SSD”。
映入眼帘的，是各种“276层”、“332层”、“430层”的闪存芯片宣传。老张看得一头雾水——这些“楼层”，到底意味着什么？
这背后，是一场围绕 各厂3D NAND制程 展开的无声战争。层数， 直接决定了数据存储的“容积率”。简单来说，就是芯片内部能垂直堆叠多少层存储单元，层数越高，单位面积能塞下的数据就越多，速度也更快。
2025年至2026年，全球闪存市场迎来了一轮密集的技术换代，三星、SK海力士、美光、铠侠和长江存储等巨头纷纷亮出了自己的新一代方案。
三星作为行业领头羊，正从第九代V-NAND的286层，向第十代V-NAND的430层跃进-。这项代号“V10”的技术原计划2025年下半年量产，但因技术难度已可能推迟至2026年上半年-。
三星西安工厂也在加速向236层和286层堆叠技术发展，以确保长期竞争力-。
SK海力士的节奏则显得更为激进。在2023年展示了321层样品后，他们计划在2025年末完成400层以上堆叠NAND的量产准备，并于2026年第二季度正式启动大规模生产-3。这意味着其技术迭代周期已缩短至约一年。
与西数联合研发的铠侠，计划在2026年于其岩手县工厂开始生产第十代BiCS闪存，层数将从第八代的218层跃升至332层。
这一升级预计使单位面积存储容量提高59%，数据传输速度提升33%，同时降低功耗-1。
美光目前的重心似乎更侧重于将现有高層技术快速产品化。其第九代3D NAND已达到276层，并已应用于多款高速SSD中-。不过，其技术路线图也已指向了未来的2YY、3XX与4XX更高层数产品-。
长江存储则在2025年9月宣布，凭借其独特的Xtacking 4.0技术，已成功实现267层3D NAND TLC芯片的规模化量产，并已着手布局300层以上的技术-。
单纯增加层数并非易事，这就像盖摩天大楼，楼层越高，对地基、结构和材料的挑战就越大。当堆叠层数突破400层，传统的蚀刻工艺几乎达到物理极限。
为了应对这一挑战，各厂3D NAND制程纷纷引入“混合键合”技术。
这项技术犹如芯片界的“乐高”高级玩法：将存储单元阵列和外围控制电路分别制作在两片晶圆上，然后将它们像三明治一样精准地键合在一起。这不仅降低了制造难度，还提升了性能和可靠性-。
三星在其430层V-NAND中，就计划采用超低温蚀刻和混合键合等多项新工艺-。
另一个绕不开的挑战是“写入寿命”。随着每个存储单元容纳的比特数从SLC到QLC甚至PLC，写入寿命会递减。各厂3D NAND制程的竞赛不仅是层数之争，更是架构、材料和控制器算法的综合较量。
例如，美光在其276层NAND中，就通过架构创新，在层数仅增加19%的情况下，实现了存储密度40%的提升-。
眼前的竞争已足够激烈，但巨头们的目光早已投向更远的未来。三星已公开目标，计划在2030年左右推出超过1000层的3D NAND-3。
设备供应商也在为此铺路，泛林集团推出的第三代低温介质蚀刻技术，就旨在为1000层3D NAND的制造扫清障碍-3。
这场技术竞赛的胜负，将深刻影响未来几年的存储市场格局。更高的层数意味着更低的单位存储成本和更高的能效，这对于吞噬数据的AI数据中心来说至关重要。
铠侠将其332层NAND明确定位于满足AI数据中心的海量存储需求-1。可以预见，从2026年开始，基于这些新一代闪存的SSD将陆续上市。
届时，像老张这样的用户，将能用合理的价格买到容量更大、速度更快、更耐用的存储设备，彻底告别“存储焦虑”。
网友“数码萌新”问： 看了文章还是有点晕，层数是不是唯一的指标？我买SSD到底该看层数，还是看品牌和主控？
答：问得特别实在！层数绝对不是唯一指标，它更像汽车的“发动机排量”，是基础性能的保证。但一辆车开起来爽不爽，还得看变速箱（主控）、底盘调校（固件算法）和品牌整体的品控。
高层数NAND能提供更高的潜在性能和容量，但最终体验取决于主控芯片能否高效调度数据，以及固件能否优化读写、延长寿命。对于普通用户，一个简单的选购逻辑是：优先选择一线品牌（如三星、铠侠、西数、闪迪、致钛等）的主流型号。
这些产品通常采用了该品牌当时先进的闪存层数，并配有经过充分调校的主控和固件，整体体验更均衡可靠。除非是极客玩家，否则不必过于纠结具体的层数数字。
网友“硬件老王”问： 听说QLC寿命短，现在这些高层数的NAND好多都是QLC，值得买吗？会不会用一两年就挂了？
答：老王这问题问到点子上了，这是很多人的顾虑。首先需要纠正一个常见误解：QLC的“寿命短”是相对于SLC/MLC/TLC而言的，但对于绝大多数日常使用场景来说，它的寿命依然是完全过剩的。
一块主流QLC SSD的写入寿命通常以数百TBW（总写入字节数）计。举个例子，即使你每天疯狂写入100GB数据，也需要近十年才能达到其标称寿命。普通家用、办公甚至中重度游戏，远远达不到这个写入量。
高层数技术和QLC是两回事，但二者常结合以实现最大容量。 厂商通过更先进的主控纠错算法、更智能的磨损均衡技术，以及预留更多冗余空间（OP区域）来大幅改善QLC的耐用性和性能。对于追求大容量（如4TB、8TB）、预算有限且主要用于存储游戏、视频资料的用户，高層QLC SSD是性价比极高的选择。 如果用于频繁写入的数据库、视频编辑 scratch盘，则仍建议考虑高端TLC产品。
网友“风清扬”问： 长江存储这次跟上了国际第一梯队吗？国产闪存现在到底什么水平？
答：这是一个令人振奋的话题。长江存储的成长速度确实惊人。从技术上看，其267层量产节点与国际巨头（如美光276层、铠侠218层换代节点）处于同一代际，可以说已跻身全球闪存研发的第一阵营。
其独创的Xtacking技术（将存储单元晶圆和外围电路晶圆分开制造后再键合）是一项核心优势，能缩短开发周期并提升性能。从市场看，长江存储已实现从技术突破到规模量产和商业成功的跨越，其产能持续扩张，目标是在2028年占据全球NAND市场约15%的份额-。
当然，国际巨头在最尖端层数（如400+层）的率先量产、以及全产业链的生态掌控力上仍暂时领先。但长江存储的追赶势头强劲，其发展不仅为消费者提供了更多高性价比选择，更对全球存储市场的定价和供应链安全产生了战略影响。未来的竞争，必将更加精彩。
