深圳华强北的存储商户们最近挂在嘴边的一句话是，“一天一个价，甚至一天几个价”-2。这市场热得跟烧烤摊上的铁板似的，DRAM芯片在上面滋滋作响。
最近存储芯片市场火热得跟烧烤摊似的，各位搞硬件的、装机的、甚至普通消费者都能感觉到内存条价格那个涨啊，简直让人心惊肉跳。
AI这波热潮一来，整个存储市场都翻了个个儿，DRAM作为计算设备的“临时记忆库”，成了这场变革中的香饽饽-2。
深圳华强北的存储商户们最近挂在嘴边的一句话是，“一天一个价，甚至一天几个价”-2。这可不是夸张，现在的DRAM市场确实进入了一个超级周期。
去年下半年开始，整个存储行业就像坐了火箭似的往上蹿。特别是今年，DRAM市场综合价格指数已经攀升了47.7%，光6月单月涨幅就高达19.5%-5。
这背后主要是AI需求爆发给闹的。现在的AI服务器对内存需求是传统服务器的8-10倍，北美四大云厂商明年的AI基建投资预计能达到惊人的6000亿美元-3。
这样一来，存储芯片市场能不火吗？DRAM产品现在供应紧张得跟什么似的，市场需求却跟打了鸡血一样强劲-1。
你看连美光这样的巨头都坐不住了，他们内部一份未公开的财务数据显示，数据中心存储芯片的毛利率高达42%，而消费级产品只有14%-2。
这利润差距明摆着嘛！所以美光不仅终止了移动NAND产品开发，甚至把消费类业务品牌Crucial都给砍了，把产能全转向数据中心市场-2。
要说DRAM量产时间安排，那可得好好捋一捋。目前各大厂商都在紧锣密鼓地布局，特别是最先进的1c纳米制程技术。
三星这头正在加速扩大1c DRAM生产，目标是到2026年第二季度把月产能提到14万片晶圆，第四季度再进一步增加到每月20万片-1。
按这个节奏，三星2026年的DRAM量产时间会呈现一个明显的阶梯式增长。这些节点对应设备设置阶段，每个阶段目标都是为批量生产做好准备-7。
目前三星的DRAM总产能大约是每月65万至70万片晶圆，这意味着最新的1c DRAM产能将在短时间内达到总产能的约30%-7。
这个扩张速度已经超过了2022年半导体热潮期间月增13万片晶圆的最高纪录-1。
三星采取的是双轨策略：一方面对现有DRAM产线进行技术改造，实现工艺过渡；另一方面依托位于平泽的P4工厂进行新增投资-7。
SK海力士那边也不甘示弱，计划明年将第六代10纳米DRAM（也就是1c DRAM）的月产能从目前约2万片提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，将占其DRAM总产能的三分之一以上-2。
业内人士透露，SK海力士已将1c DRAM的良率提升至80%以上，主要用来制造DDR5、LPDDR和GDDR7这些最新通用DRAM产品-2。
而且SK海力士计划2025年内启动1c DRAM的量产工作，2026年实现全面投产-1。预计到2026年底，其韩国国内通用DRAM产量中将有超过一半来自1c工艺-1。
下面这个表格整理了三家主要厂商的DRAM产能规划，帮你一目了然地看清未来几年的产能布局：
| 厂商 | 技术节点 | 当前月产能（约） | 2026年目标月产能 | 关键时间节点与备注 |
|---|---|---|---|---|
| 三星 | 1c DRAM | 未单独披露（DRAM总产能65-70万片/月）-1 | 20万片-1 | 2026年Q2：14万片/月；2026年Q4：20万片/月-1 |
| SK海力士 | 1c DRAM | 2万片-2 | 16万至19万片-2 | 计划2025年内启动量产，2026年全面投产-1 |
| 美光 | HBM/企业级DRAM | 未明确披露 | 未明确披露（积极扩建中） | 多个新厂建设中，部分产能已转向数据中心/HBM产品-2 |
别看现在市场火热，技术竞争更是暗流涌动。三星在DRAM技术上的领先地位最近几年受到了挑战。
自2020年来，三星电子在DRAM内存技术上有点力不从心了：在1a纳米节点上，美光率先量产；到了1b纳米，三家量产时间大致相当；而在即将到来的1c纳米节点，SK海力士有望取得领先-9。
更让三星头疼的是产品端，由于此前解散HBM内存研发团队的决定，三星目前在HBM3和HBM3E内存的竞争中也处于落后地位-9。
为了扭转局面，三星已经提前组建了1d纳米DRAM的技术开发团队-9。这个动作比往常早了1-2年，团队规模达数百人-9。
相较于目前的制程，1d纳米工艺将提升EUV光刻的用量，难度会加大不少-9。三星希望通过提前投入，缩短工艺优化周期，重新建立内存技术优势-9。
按照目前的路线图，三大内存厂商的下一代DRAM工艺1c纳米将于今年三季度至明年投入量产-9。
而1d纳米工艺又在1c纳米之后，预计量产时间晚于2026年-9。TechInsights甚至预测，到2027年底，DRAM将迈入个位数纳米技术节点-10。
DDR6的研发也在紧锣密鼓地进行。三大DRAM内存原厂三星、SK海力士和美光已经完成DDR6原型芯片设计，正在与英特尔和AMD等厂商合作进行接口测试-5。
预计从2026年起，新款处理器将开始支持DDR6，2027年DDR6有望正式进入大规模导入期-5。
这一波DRAM扩产潮和DRAM量产时间调整，带来的连锁反应可真不小。最直接的影响就是产能排挤效应——HBM产能挤占导致消费级DRAM供应紧缩-3。
智能手机用的LPDDR5X价格较2024年上涨了180%-3。DDR4的情况更夸张，6月23日DDR4 16Gb芯片均价达到12美元，而同容量DDR5产品报价仅为6.014美元-5。
这是DRAM历史上首次出现前代产品价格超越最新规格产品100%的异常现象-5。
为啥会这样？因为各大厂商都在调整产能。三星计划将用于HBM3E生产的第四代1a纳米制程产能下调30%-40%，转而投入第五代1b纳米制程的通用DRAM生产-2。
每月能新增约8万片晶圆产能-2。为啥这么干？利润驱动呗！三星内部评估显示，基于1b DRAM产能的DDR5等通用DRAM的利润率将超过60%，远高于HBM3E产品的30%左右-2。
美光那边更是决绝，直接宣布逐步停产DDR4，预计在未来6到9个月内出货量将逐步下滑，直至最终彻底停产-2。
现在只有“车用、工业、网通”领域的长期合作客户还能拿到DDR4供应-5。
这种产能调整对整个产业链都产生了深远影响。PC制造商和服务器厂商的生产成本大幅增加，一些小型PC组装商甚至因为无法承受DDR4价格的上涨，不得不调整产品配置或提高产品售价-5。
更让人意想不到的是，连华硕这样的PC厂商都被传要启动DRAM自研计划，打算在2026年第二季度末之前建立专门的DRAM生产线-6。
虽然后来华硕澄清目前并没有投入存储晶圆厂的计划-6，但这足以说明当前DRAM供应紧张到了什么程度。
市场上那些通用DRAM产品，特别是基于1b和1c纳米制程的DDR5，价格持续上涨、供不应求，利润率已远超部分HBM产品-2。
看着这些数字，美光首席商务官Sumit Sadana的警告似乎更有分量了——2026年DRAM内存供应形势将比当前更为严峻-2。
