手机厂商的采购负责人看着最新报价单，手心的汗浸湿了纸张——短短几个月，内存条价格已经翻了几番，而且加价也未必能拿到货。
全球存储芯片市场正进入一个前所未有的“饥饿游戏”，下游厂商对高性能内存的需求正推高整个行业进入结构性增长阶段-4。
行业高管坦言：“这是从事存储行业以来见过的最猛一次涨价。”-7 今年10月后市场恐慌情绪蔓延，11月初部分产品涨价幅度甚至超过60%-7。
2026年的DRAM市场完全被AI重塑了格局。曾经周期性起伏明显的存储行业，如今迎来了被称为“三重超级周期”的罕见繁荣期-5。
野村证券预测，受人工智能基础设施建设及传统服务器投资回暖的驱动，全球存储市场规模有望在2026年同比增长98%至4450亿美元-5。
这一增长并非平均分配。高带宽内存成为最大赢家，它在DRAM市场总价值中的占比正从2023年的8%急剧扩大到2025年的33%，预计2026年将进一步达到41%-1。
内存市场的最大变革在于产能的永久性重新分配。数十年来，智能手机和PC使用的DRAM与NAND一直是半导体产能扩张的核心驱动力，如今这一格局已彻底逆转-6。
AI服务器和企业级设备的单系统内存需求量远超消费级设备，AI基础设施建设正在占据全球内存产能的大部分份额，导致供应短缺-6。
三大内存制造商将有限的产能和资本支出转向利润率更高的企业级组件-6。每一片分配给英伟达GPU的HBM硅片，都意味着中端智能手机的LPDDR5X内存或消费级笔记本电脑的固态硬盘(SSD)将失去对应产能-6。
从DRAM市场份额分析看，HBM正在改写游戏规则。TrendForce资深副总裁Arvil Wu预计，到2026年，HBM占DRAM销售额比重将进一步扩大至41%-1。
几乎所有HBM产品都用于人工智能。英伟达、AWS、谷歌和AMD这四家自主研发AI芯片的公司占据了HBM需求的95%-1。
这些公司为了保障产能，愿意为LPDDR5支付比手机厂商高出50%—60%的溢价，存储原厂为追求更高利润，自然优先将产能分配给AI客户-7。
2025年的主流产品是HBM3E，而2026年HBM4将开始爬坡，堆叠的DRAM芯片数量将从8个增加到12个，进一步增加每片晶圆的消耗量-1。
DRAM价格已经进入前所未有的上涨周期。2025年第四季度，DRAM合约价环比上涨50-55%，NAND合约价上涨33-38%-10。
部分型号价格更为夸张。256GB DDR5服务器内存价格已突破5万元/条，部分型号逼近6万元，较2024年同期涨幅超500%-3。
摩根大通预测，DRAM市场正迎来一个从2024年持续至2027年的“前所未有的四年定价上行周期”-4。野村预计，2026年DRAM和NAND的平均售价将分别跃升46%和65%-5。
与需求的爆发式增长形成鲜明对比的是，供应端的增长明显滞后。三大厂商的新增产能要到2028年之后才会释放-2。
即便厂商决定扩产，从设备安装到芯片产出通常需要较长时间。在当前的技术迁移期（如向1C纳米制程过渡），晶圆产能实际上会减少10%至15%，且初期良率较低，导致实际位元产出增长受限-5。
洁净室的可用性不足成为瓶颈，限制了全球存储行业的供应扩张-5。在无尘室空间不足的情况下，只有三星与SK海力士仍有小幅扩大产线的机会，而美光则需要等待其ID1新厂落成，最快2027年才能有产出-8。
这场DRAM市场份额分析的直接结果是消费电子产品面临严重冲击。集邦咨询预测，2024至2026年，AI与服务器相关应用对DRAM产能的占比分别达到46%、56%及66%-7。
这一趋势导致PC、智能手机等消费终端可获得的DRAM分配量进一步收缩-7。智能手机的成本结构高度依赖内存配置，中端机型的内存成本占BOM成本的15%-20%-6。
多家机构预测，2026年智能手机和PC出货量可能因成本上涨而出现下滑-5。有分析师警告：“低价位智能手机无法消化存储器涨价部分的成本，（销量）可能会被下调。”-10
在这场全球DRAM市场份额分析中，中国厂商正在加速追赶。长江存储已开始兴建第三座晶圆厂，目标于2027年投产-9。
长鑫科技科创板IPO募资295亿元，计划2027年完成3座12英寸晶圆厂设备导入，其DDR5/LPDDR5X产品已覆盖主流市场-3。
长江存储以其扩张速度，两年内可能成为全球第五大、甚至第四大NAND供应商-9。该公司正考虑跨入DRAM，并评估生产可作为HBM基础的DRAM Die-9。
当供应链传来消息称三星、海力士已与几家国际电子巨头签订2至3年长期供应协议时，中小型厂商只能望着季度价格谈判中不断上浮的报价摇头-1。
美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉已经坦率表示：“2026年的产量已经全部签约完毕。”-10 那些仍在犹豫是否接受高价的手机厂商，其库存可能只够维持到2026年第一季度-7。
